K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BCRC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCRC
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $13,78 $6,80
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Speicherorganisation 1G x 8 1G x 8
Versorgungsspannung 1.2 V (nominal) 1.2 V
Datenrate 3200 Mbps (PC4-25600) 2400 Mbps
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 8 and 4
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
Schnittstellentyp SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) Yes
Gehäuse 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
Montageart Surface Mount (BGA) —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS-Status Compliant —
Betriebstemperatur — 0°C to 85°C
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

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