K4A8G085WB-BCPB vs K4A8G085WB-BCRC 对比

详细并排对比 K4A8G085WB-BCPB 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G085WB-BCRC 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCPB ✓ 量产中
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K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G085WB-BCPB K4A8G085WB-BCRC
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $13.78 $6.80
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
存储组织 1G x 8 1G x 8
电源电压 1.2 V (nominal) 1.2 V
数据速率 3200 Mbps (PC4-25600) 2400 Mbps
Speed Grade BC —
CAS Latency (CL) 22 —
Burst Length 8 8 and 4
Bank Architecture 16 banks (4 bank groups) —
Refresh Interval 7.8 us (up to 85C) —
接口类型 SSTL-12 —
Termination ODT / dynamic ODT —
Self-Refresh Temperature-Compensated Self-Refresh (TCSR) Yes
封装 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Package Dimensions 11 mm x 11 mm —
安装类型 Surface Mount (BGA) —
Operating Mode DLL enabled —
RoHS 状态 Compliant —
工作温度 — 0°C to 85°C
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

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