K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BICH от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,96 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Организация памяти | 1G x 8 | — |
| Напряжение питания | 1.2V | 1.2 V |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| Задержка CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CL value] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Размер памяти | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Без галогенов | — | Yes |