K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BIWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G085WC-BIWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Снят с производства
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Снято с производства | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,95 | $6,29 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Организация памяти | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Скорость передачи данных | 2133 Mbps | 3200 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0 C to +85 C | — |
| Корпус | 78FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| Особенности | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 22 (CL22) |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Диапазон рабочих температур | — | -40°C to +95°C |
| Интерфейс | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Lead-Free | — | Yes |