K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BIWE Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WC-BCPB por Samsung Electronics e K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Fim de vida
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Fim de vida | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,95 | $6,29 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organização da memória | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | 2133 Mbps | 3200 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Temperatura de operação | 0 C to +85 C | — |
| Encapsulamento | 78FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| Recursos | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 22 (CL22) |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +95°C |
| Interface | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Lead-Free | — | Yes |