K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BCPB por Samsung Electronics y K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCPB ✗ Fin de vida
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BCPB | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Fin de vida | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,95 | $6,29 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 2133 Mbps | 3200 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to +85 C | — |
| Encapsulado | 78FBGA | 78-FBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Maximum Seated Height | 1.2 mm | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | DDR4-2133 | — |
| Características | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] | Auto-refresh, self-refresh |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | 22 (CL22) |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Die Revision | [DATA_NEEDED: die revision] | — |
| Standard Package Quantity | [DATA_NEEDED: standard package quantity] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Interfaz | — | POD-12 |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Lead-Free | — | Yes |