K4A8G165WB-BCPB vs K4AAG165WA-BCPB Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCPB от Samsung Electronics и K4AAG165WA-BCPB от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2133Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Активен
Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4AAG165WA-BCPB ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G165WB-BCPB K4AAG165WA-BCPB
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,30 $63,79
Density 8 Gb 16 Gb
Организация памяти 512M x 16 1G x 16
Speed Grade 2133 Mbps (PC4-17000) —
Напряжение питания 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
Рабочая температура 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade]
Корпус 96-ball FBGA (TFBGA-96) FBGA-96
Burst Length 8 (BL8) —
Burst Type Sequential and Interleave —
Задержка CAS Programmable (e.g., 15, 16, 18) —
Refresh Auto and Self Refresh —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Package Shape RECTANGULAR —
Terminal Position BOTTOM —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Тип памяти — Volatile DRAM (DDR4 SDRAM)
Technology — DDR4
Скорость передачи данных — 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Тип монтажа — Surface Mount
Memory Format — DRAM
Packaging — Tray
Product Status — Active
Power Consumption — 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 internal bank groups)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Max Capacity Family — Up to 32GB component (Samsung DDR4 family)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену