K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WC-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G165WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WB-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,31 $12,57
Тип памяти DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Размер памяти 8 Gb 8 Gb (1 GB)
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
Скорость передачи данных DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) 2400 Mbps (PC4-19200)
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Интерфейс DDR4 (16-bit data bus) DDR4 (Double Data Rate, synchronous)
Корпус 96-ball FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (PBGA96)
Die Generation C-die (1Y nm class) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура 0C to +95C -40C to +95C
Особенности Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Termination On-die termination (ODT), dynamic —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Technology — CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die
Ball Pitch — 0.8 mm
On-Die Termination — Yes (ODT with dynamic ODT)
ZQ Calibration — Yes
CRC / CA Parity — Yes (CRC function)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену