K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics und K4A8G165WB-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,31 | $12,57 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) |
| Speichergröße | 8 Gb | 8 Gb (1 GB) |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 2400 Mbps (PC4-19200) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Schnittstelle | DDR4 (16-bit data bus) | DDR4 (Double Data Rate, synchronous) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | -40C to +95C |
| Eigenschaften | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Technology | — | CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT with dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes (CRC function) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |