K4AAG085WM-BCWE vs MT40A2G8AG-062E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG085WM-BCWE от Samsung Electronics и MT40A2G8AG-062E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron
MT40A2G8AG-062E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4AAG085WM-BCWE | MT40A2G8AG-062E |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,00 | $9,75 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0C to +85C | — |
| Корпус | 78FBGA | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Speed | — | DDR4-3200 (3200 MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | 0.625 ns (tCK) |
| Задержка CAS | — | CL22 (DDR4-3200) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| I/O Interface | — | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Operating Temperature (AUT grade) | — | -40C to +95C (per Micron grade table) |
| Die Revision | — | AG (current generation) |