K4AAG085WM-BCWE vs MT40A2G8AG-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4AAG085WM-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 MT40A2G8AG-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4AAG085WM-BCWE | MT40A2G8AG-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.00 | $9.75 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | — |
| 패키지 | 78FBGA | 78-FBGA (7.5 x 11 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | DDR4 (JEDEC-standard) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | — |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Speed | — | DDR4-3200 (3200 MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1600 MHz |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | 0.625 ns (tCK) |
| CAS 레이턴시 | — | CL22 (DDR4-3200) |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| I/O Interface | — | POD12 (1.2 V pseudo-open drain) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Operating Temperature (AUT grade) | — | -40C to +95C (per Micron grade table) |
| Die Revision | — | AG (current generation) |