K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646D-BYH9 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646E-BYK000 от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BYH9 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BYH9 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646D-BYH9
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,56 $2,30
Тип памяти DDR3L SDRAM —
Размер памяти 4 Gbit —
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Speed Grade DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) —
Clock Frequency 800 MHz —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) —
Number of Banks [DATA_NEEDED: bank count] 8
Die Process Samsung E-die —
Корпус 96-FBGA (BYK) 96FBGA
Тип монтажа Surface Mount —
Интерфейс Parallel —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0 ~ 85 °C
Особенности Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Access Time 1.25 ns —
Density — 4 Gb
Скорость передачи данных — 1333 Mbps
Напряжение питания — 1.35 V
Задержка CAS — Programmable
Write Latency — Programmable
On-Die Termination — Yes
Internal Calibration — Yes
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
RoHS Compliant — Yes
Die Version — D-die

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену