K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646D-BYH9 비교
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Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.56 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | — |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | 8 |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| 패키지 | 96-FBGA (BYK) | 96FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 ~ 85 °C |
| 특징 | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 데이터 속도 | — | 1333 Mbps |
| 공급 전압 | — | 1.35 V |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |