K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646D-BYH9 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,56 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | — |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | 8 |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| Boîtier | 96-FBGA (BYK) | 96FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Interface | Parallel | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0 ~ 85 °C |
| Caractéristiques | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | 1333 Mbps |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Latence CAS | — | Programmable |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |