K9ADGD8S0A vs K9DVGY8J5M Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9ADGD8S0A от Samsung Electronics и K9DVGY8J5M от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9ADGD8S0A K9ADGD8S0A - 3D V-NAND TCAT Flash Memory Die | Samsung

K9ADGD8S0A - 3D V-NAND TCAT Flash Memory Die | Samsung

K9ADGD8S0A ✗ Снят с производства
Samsung Electronics
K9DVGY8J5M K9DVGY8J5M - Samsung V-NAND TLC Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGY8J5M - Samsung V-NAND TLC Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGY8J5M ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K9ADGD8S0A K9DVGY8J5M
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория EEPROM Memory ICs
Статус жизненного цикла Снято с производства Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $1,00
Device Type 3D V-NAND flash memory bare die —
Process Technology Terabit Cell Array Transistor (TCAT) —
Architecture 3D vertical NAND (V-NAND) —
Form Factor Bare die (unpackaged) —
Found In Samsung K9HQGY8S5M-CCK0 and K9LPGY8S1M-CCK0 packages —
Known Application Samsung 850 Pro 128 GB SSD —
Memory Class Non-volatile NAND flash —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Documented By TechInsights report SAR-1407-802 —
Capacity [DATA_NEEDED: die capacity] —
Напряжение питания [DATA_NEEDED: supply voltage] —
Интерфейс [DATA_NEEDED: interface type] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Корпус [DATA_NEEDED: package] —
Product Type — Raw NAND Flash Memory
NAND Technology — Samsung V-NAND (3D TLC)
Flash ID — EC519A3F8CCB
Density — [DATA_NEEDED: die density (Gb)]
Organization (Page/Block) — [DATA_NEEDED: page and block organization]
Тип интерфейса — [DATA_NEEDED: interface (toggle DDR / async)]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Program Page Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG typical/us]
Block Erase Time (tBERS) — [DATA_NEEDED: tBERS typical/us]
Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR typical/us]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: package type and dimensions]
Тип монтажа — Surface Mount
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену