K9MUGY8R4A-CCQ0 vs K9KUGY8J7C-BCK0 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K9MUGY8R4A-CCQ0 от Samsung Electronics и K9KUGY8J7C-BCK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K9MUGY8R4A-CCQ0 K9MUGY8R4A-CCQ0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9MUGY8R4A-CCQ0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9MUGY8R4A-CCQ0 ✓ Активен
Samsung Electronics
K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K9MUGY8R4A-CCQ0 K9KUGY8J7C-BCK0
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $9,55
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Family K9 V-NAND (NAND Flash) —
Memory Technology V-NAND (vertical NAND flash) —
Cell Type [DATA_NEEDED: cell type (MLC/TLC)] TLC (3 bits/cell)
Density [DATA_NEEDED: total density] 1 Tb
Организация памяти [DATA_NEEDED: page/block organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Тип интерфейса [DATA_NEEDED: interface (Toggle DDR/ONFI)] [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode]
Maximum I/O Speed [DATA_NEEDED: data transfer rate] —
Supply Voltage - VCC [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Voltage - VCCQ [DATA_NEEDED: VCCQ range] —
Page Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Block Erase Time (typ) [DATA_NEEDED: tBERS] —
Endurance (P/E cycles) [DATA_NEEDED: endurance] —
Package Type [DATA_NEEDED: package type and pin count] BGA
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range in C]
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Тип памяти — NAND Flash (TLC V-NAND)
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range in V]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ range in V]
Page Size — [DATA_NEEDED: page size in KB]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Package Code — [DATA_NEEDED: package code / ball count]
Grade Suffix — BCK0

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену