M29F400FT55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F400FT55N3F2 от Micron Technology и M29F200FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | M29F400FT55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | EEPROM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,51 | $0,00 |
| Тип памяти | NOR Flash (SLC) | NOR Flash, Parallel |
| Размер памяти | 4 Mbit | — |
| Организация памяти | 256K x 16 | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Интерфейс | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5 V | — |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| Корпус | 44-SO (SOP-44) | 48-pin TSOP |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | — |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | -40C to +125C |
| Density | — | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Number of Words | — | 128 K |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Top Boot Block |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Статус RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |