M29W128GH70N3F vs M29W640GB70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W128GH70N3F от Micron Technology и M29W640GB70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W128GH70N3F M29W128GH70N3F - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GH70N3F - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GH70N3F ✓ Активен
Micron Technology
M29W640GB70N3F M29W640GB70N3F - 64Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W640GB70N3F - 64Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W640GB70N3F Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр M29W128GH70N3F M29W640GB70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $2,66
Тип памяти NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 128 Mbit (16 MB) 64 Mb (8 MB)
Интерфейс Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 3 V (2.7 V to 3.6 V) —
Организация памяти 8M x16 / 16M x8 x8 / x16
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 56-TSOP 48-TSOP I
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Block Architecture [DATA_NEEDED: block size/organization] Uniform block (GB variant)
Erase/Program Cycles [DATA_NEEDED: endurance rating] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
CFI Compliant Yes —
Supply Current - Read [DATA_NEEDED: ICC read] —
Supply Current - Program/Erase [DATA_NEEDED: ICC write] —
Статус RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Напряжение питания — 2.7 V to 3.6 V
Qualification — Automotive AEC-Q100
Program/Erase Interface — Parallel command set with status polling
Part Status — Obsolete
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Read Current — [DATA_NEEDED: active read current]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену