M29W320DT70N3E vs M29DW323DB70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W320DT70N3E от Micron Technology и M29DW323DB70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W320DT70N3E | M29DW323DB70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,05 | $2,55 |
| Тип памяти | NOR Flash | Flash - NOR |
| Размер памяти | 32 Mbit | — |
| Организация памяти | 4M x8 / 2M x16 | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Read Current (typical) | 10 mA | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (DT suffix) | — |
| Boot Region | 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block | — |
| Корпус | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Package Length | 18.4 mm | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 3 (168 Hours) | — |
| Peak Reflow Temperature Time | 30 s | — |
| Packaging | Tray | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Format | — | FLASH |
| Technology | — | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | — | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Memory Organization | — | 4M x 8 / 2M x 16 |
| Напряжение питания | — | 3 V class (per manufacturer datasheet) |
| Boot Block Location | — | Bottom (DB variant) |
| Byte/Word Organization Select | — | Yes (BYTE pin) |
| Applications Domain | — | Embedded code storage / XIP |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] |