M29W320DT70N3E vs M29DW323DB70N3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W320DT70N3E 제조: Micron Technology 및 M29DW323DB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W320DT70N3E M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E - 32Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W320DT70N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W320DT70N3E M29DW323DB70N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.05 $2.55
메모리 유형 NOR Flash Flash - NOR
메모리 크기 32 Mbit —
메모리 구성 4M x8 / 2M x16 —
인터페이스 Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Read Current (typical) 10 mA —
Boot Block Architecture Top boot (DT suffix) —
Boot Region 16 KByte boot block, two 8 KByte parameter blocks, 32 KByte small main block —
패키지 48-TSOP I 48-TSOP I
Package Length 18.4 mm —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 3 (168 Hours) —
Peak Reflow Temperature Time 30 s —
Packaging Tray —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Format — FLASH
Technology — FLASH - NOR Memory IC
Density — 32 Mb (4M x 8, 2M x 16)
Memory Organization — 4M x 8 / 2M x 16
공급 전압 — 3 V class (per manufacturer datasheet)
Boot Block Location — Bottom (DB variant)
Byte/Word Organization Select — Yes (BYTE pin)
Applications Domain — Embedded code storage / XIP
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: standard pack quantity]

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