MRF5S19060MBR1 vs MRF5S19060MR1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF5S19060MBR1 от NXP Semiconductors и MRF5S19060MR1 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF5S19060MBR1 MRF5S19060MBR1 - 12W RF Power LDMOS 1990MHz | NXP/Freescale

MRF5S19060MBR1 - 12W RF Power LDMOS 1990MHz | NXP/Freescale

MRF5S19060MBR1 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF5S19060MR1 MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRF5S19060MBR1 MRF5S19060MR1
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория RF Amplifiers MOSFETs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $16,40 $25,60
Тип транзистора LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel LDMOS RF Power MOSFET
Technology RF Power Field Effect Transistor —
Frequency Band 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Typical Operating Frequency 1990 MHz —
Drain-Source Voltage (Rated) 65 V —
Nominal Drain Operating Voltage 28 V —
Output Power (Average) 12 W —
Power Gain 14 dB —
Test Current (Drain) 750 mA —
Drain Current Rating (Leakage Spec) 10 uA —
VSWR Tolerance 5:1 @ 28 Vdc, 1990 MHz, 12 W avg —
Input Matching Internally matched —
ESD Protection Integrated —
Корпус TO-270 WB-4 (overmolded plastic, also listed as TO-272 WB-4) TO-270 WB-4 (Ceramic)
Package Outline Case 1486-03, Style 1 —
Способ монтажа Flange / surface mount with thermal pad —
Maximum Junction Temperature 200 degree C —
Packaging Tape and Reel, 500 units per 44 mm 13-inch reel (R1 suffix) —
Target Application PCN/PCS 1900 MHz, 2 x N-CDMA base station PA final/driver stage —
Manufacturer — NXP (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MRF5S19060MR1
Frequency Range — 1930 MHz to 1990 MHz
Drain-Source Voltage (Vdss) — 65 V (max)
Drain Current (Id) — 750 mA
Output Power (Pout, avg) — 12 W (N-CDMA)
Output Power (Pout, PEP) — 60 W (typical)
Power Gain (Gps) — 14 dB (typical)
Drain Efficiency (etaD) — 45% (typical)
Operating Voltage — 28 V
Тип монтажа — Surface Mount / Flange Mount
Test Signal — 2 x N-CDMA
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Operating Class — Class AB

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену