MRF5S19100HR5 vs MRF5S19100HSR5 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF5S19100HR5 от NXP Semiconductors и MRF5S19100HSR5 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF5S19100HR5 MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 - 22W RF LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF5S19100HSR5 MRF5S19100HSR5 - 100W RF LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HSR5 - 100W RF LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF5S19100HSR5 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRF5S19100HR5 MRF5S19100HSR5
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Obsolete Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $25,40 $42,60
Тип транзистора LDMOS (RF Power) N-Channel RF Power MOSFET (LDMOS)
Technology N-Channel MOSFET NXP HV5 LDMOS (5th generation, enhancement-mode)
Frequency Band 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Output Power (Pout) 22 W 22 W (typical average, W-CDMA)
Power Gain at Test 13.9 dB —
Drain-Source Voltage Rated (Vdss) 65 V —
Test Voltage (Vd) 28 V —
Test Current (Id) 1 A —
Корпус / Типоразмер NI-780 (3-pin ceramic flange) —
Supplier Device Package NI-780 —
Тип монтажа Chassis Mount / Flange Chassis / flange mount with screw
Configuration Single N-Channel —
Part Status Obsolete —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish] —
ESD Protection Yes (per datasheet) —
Channel Temperature (Tj max) [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 65 V (maximum)
Operating Drain Voltage — 28 V (typical)
Test Condition Power — 100 W peak (CW test condition)
Power Gain (Gp) — 13.9 dB (typical at 1.96 GHz)
Drain Efficiency — 28 percent (typical, W-CDMA Class-AB)
Operating Frequency — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Test Frequency — 1.96 GHz
Корпус — NI-780S (ceramic, flanged, bolt-down)
Input Impedance — 50 ohm (internally matched)
Input Bias Type — Class-AB (gate biased above pinch-off)
Рабочая температура — -40 C to +200 C (junction, with derating)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену