MRF6S19100HR3 vs MRF6S27085HR3 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MRF6S19100HR3 от NXP Semiconductors и MRF6S27085HR3 от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 ✓ Активен
NXP Semiconductors
MRF6S27085HR3 MRF6S27085HR3 - 20W RF Power MOSFET, 2.6-2.7GHz, 28V LDMOS

MRF6S27085HR3 - 20W RF Power MOSFET, 2.6-2.7GHz, 28V LDMOS

MRF6S27085HR3 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MRF6S19100HR3 MRF6S27085HR3
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $95,00 $23,75
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRF6S19100HR3 MRF6S27085HR3
Device Type RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) —
Technology N-Channel LDMOS Lateral DMOS (LDMOS)
Operating Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Output Power (P1dB, Avg) 22 W (N-CDMA Average) —
Power Gain 16.1 dB (typical at 1.99 GHz) —
Drain Voltage (Vds) 28 V —
Quiescent Drain Current (Idq) 900 mA (typical) —
Корпус / Типоразмер NI-780H-2L (Case 465-06, Style 1) NI-780H-2L (CASE 465-06, STYLE 1), ceramic flange mount
Тип монтажа Flanged / Screw-mount with ceramic body Flange / Chassis mount with bolt-down thermal pad
Lead Style Dual blade (HR3 suffix) —
Operating Mode Class AB (linear) —
Target Applications N-CDMA base station, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier, PCS/cellular radio, WLL —
Статус RoHS Compliant (per NXP product page) Compliant per Freescale/NXP material declaration
Тип транзистора — LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral
Application — RF Power Amplifier
Operating Frequency — 2600 MHz to 2700 MHz
Test Frequency — 2.66 GHz
Output Power (Average, P1dB-rated) — 20 W
Power Gain (Typ) — 15.5 dB
Drain-Source Voltage Rating — 68 V
Operating Drain Voltage — 28 V
Quiescent Bias Current (Test) — 900 mA
Число выводов — 3 (Drain, Gate, Source)
Packaging — Tape & Reel (suffix HR3)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену