MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16TB-062E:J Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16TB-062E:R от Micron Technology и MT40A512M16TB-062E:J от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:J
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $60,00 $8,10
Тип памяти DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Размер памяти 8 Gbit (512M x 16) 8Gbit (512M x 16)
Скорость передачи данных 3200 MT/s —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz
Задержка CAS 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Рабочая температура 0°C to +95°C —
Корпус 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Интерфейс Parallel —
Разрядность шины данных 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
Особенности Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Статус RoHS Compliant Compliant
Access Time — 19 ns
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks each)
Prefetch Architecture — 8n-bit
Диапазон рабочих температур — 0°C to 95°C
Lead-Free — Yes
Тип монтажа — Surface Mount

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену