MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16TB-062E:J 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16TB-062E:R メーカー: Micron Technology および MT40A512M16TB-062E:J メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ 生産中
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MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:J
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $60.00 $8.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
メモリサイズ 8 Gbit (512M x 16) 8Gbit (512M x 16)
データレート 3200 MT/s —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz
CASレイテンシ 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
動作温度 0°C to +95°C —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
インターフェース Parallel —
データバス幅 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
特長 Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Access Time — 19 ns
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks each)
Prefetch Architecture — 8n-bit
動作温度範囲 — 0°C to 95°C
Lead-Free — Yes
実装タイプ — Surface Mount

データシート&リソース

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