MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16TB-062E:J Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology e MT40A512M16TB-062E:J por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:J
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $60,00 $8,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Tamanho da memória 8 Gbit (512M x 16) 8Gbit (512M x 16)
Taxa de dados 3200 MT/s —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz
Latência CAS 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Temperatura de operação 0°C to +95°C —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Interface Parallel —
Largura do barramento de dados 16 bits —
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
Recursos Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Status RoHS Compliant Compliant
Access Time — 19 ns
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks each)
Prefetch Architecture — 8n-bit
Faixa de temperatura de operação — 0°C to 95°C
Lead-Free — Yes
Tipo de montagem — Surface Mount

Fichas técnicas e recursos

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