MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WF-BITD Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A512M8RH-075E:B от Micron Technology и K4A4G085WF-BITD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,15 | $2,65 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Скорость передачи данных | 2666 MT/s (DDR4-2666) | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Тип интерфейса | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Опорное напряжение | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| Корпус | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | -40C to +95C |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Задержка CAS | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Интерфейс | — | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |