MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
Артикул: MT41K256M16TW-107:P ✓ Активен| Кол-во | Цена за ед. | Итого |
|---|---|---|
| 1 | $19.42 | $19,42 |
| 10 | $18.5 | $185,00 |
| 100 | $17.6 | $1.760,00 |
| 500 | $16.8 | $8.400,00 |
| 1.000 | $16 | $16.000,00 |
MT41K256M16TW-107:P Обзор
DDR3L SDRAM (Double Data Rate 3 Low Voltage) — это тип синхронной динамической оперативной памяти с произвольным доступом, работающий при более низком напряжении (1,35 В) по сравнению со стандартной DDR3 (1,5 В), что снижает энергопотребление до 20% при сохранении аналогичной производительности. Она является частью семейства DDR3, которое использует сигнализацию с удвоенной скоростью передачи данных для передачи данных по обоим фронтам тактового сигнала, и широко применяется в серверах, ноутбуках и встраиваемых системах. DDR3L обратно совместима со слотами DDR3, что делает её универсальным выбором для модернизации и новых разработок.
Ключевые особенности включают плотность 4 Гбит, 16-битную шину данных, тактовую частоту 933 МГц и поддержку таймингов DDR3L-1866 стандарта JEDEC. Устройство включает автоматическое самообновление, автоматический предзаряд, выравнивание записи, динамическое внутрикристальное согласование (ODT) и ZQ-калибровку, обеспечивая целостность сигналов и надёжную работу. Оно работает в диапазоне температур от 0°C до +95°C, что делает его пригодным для коммерческих и промышленных условий.
С технической точки зрения MT41K256M16TW-107:P использует высокопроизводительный КМОП-процесс и имеет программируемую задержку CAS 11, 12, 13 и 14, с длиной пакета 8 и усечением пакета 4. Он поддерживает внутрикристальное согласование (ODT) для улучшения целостности сигналов и включает DLL для точного выравнивания тактового сигнала. Устройство соответствует требованиям RoHS и не содержит свинца, отвечая экологическим стандартам.
Типичные применения включают высокопроизводительные вычисления, сетевое оборудование, промышленную автоматизацию и встраиваемые системы, где важны низкое энергопотребление и высокая пропускная способность. Работа при 1,35 В снижает тепловую нагрузку, что делает его идеальным для компактных энергочувствительных конструкций.
При проектировании с этим устройством обеспечьте надлежащие развязывающие конденсаторы рядом с выводами питания и следуйте рекомендациям по компоновке в техническом описании, чтобы минимизировать проблемы целостности сигналов. Устройство требует стабильного питания 1,35 В и тщательного согласования линий адреса/управления.
Аналоги без доработки для MT41K256M16TW-107:P — тот же корпус, pin-to-pin совместимость. Компоненты в других корпусах, требующие переработки PCB, исключены.
Варианты в этой серии
Модели той же серии, совместимые без доработки с MT41K256M16TW-107:P (тот же форм-фактор и посадочное место) — отличается по Package, Supply Voltage, Memory Type, Memory Size, Data Rate.
Инструмент быстрого сравнения — выберите альтернативные компоненты для сравнения бок о бок:
MT41K256M16TW-107IT:P
✅ Прямая замена📋 Справочный аналог (нет в каталоге)
MT41K256M16TW-107AIT:P
✅ Прямая замена📋 Справочный аналог (нет в каталоге)
MT41K256M16HA-125XIT:E
✅ Прямая замена📋 Справочный аналог (нет в каталоге)
K4B4G1646D-BYMA
✅ Прямая замена📋 Справочный аналог (нет в каталоге)
AS4C256M16D3LC-10BCN
✅ Прямая замена📋 Справочный аналог (нет в каталоге)
MT41K256M16TW-107:P Максимальные параметры и электрические характеристики
| Тип памяти | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | 933 MHz |
| Скорость передачи данных | 1866 MT/s |
| Напряжение питания | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V |
| Задержка CAS | 13 |
| tRCD | 20 ns |
| tRP | 20 ns |
| Burst Length | 8 |
| Корпус | 96-FBGA (8x14mm) |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant |
| Lead-Free | Yes |
Конфигурация выводов MT41K256M16TW-107:P
| Контакт A1 | VDD — Power supply (1.35V) |
| Контакт A2 | DQ0 — Data input/output 0 |
| Контакт A3 | DQ1 — Data input/output 1 |
| Контакт A4 | VSS — Ground |
| Контакт B1 | DQ2 — Data input/output 2 |
| Контакт B2 | DQ3 — Data input/output 3 |
| Контакт B3 | VDDQ — I/O power supply (1.35V) |
| Контакт B4 | DQ4 — Data input/output 4 |
| Контакт C1 | DQ5 — Data input/output 5 |
| Контакт C2 | DQ6 — Data input/output 6 |
| Контакт C3 | DQ7 — Data input/output 7 |
| Контакт C4 | VSS — Ground |
Типичное применение
MT41K256M16TW-107:P подходит для 6 применениеs: High-Performance Computing, Networking Equipment, Industrial Automation, Embedded Systems, Consumer Electronics, Automotive Infotainment.
High-Performance Computing
The MT41K256M16TW-107:P provides 4Gbit of DDR3L memory at 1866 MT/s, making it ideal for servers and workstations where high bandwidth and low power are critical. Its 1.35V operation reduces thermal load, enabling denser memory configurations. The 96-FBGA package allows compact PCB layouts, and the 16-bit data bus simplifies routing in multi-rank designs. With a CAS latency of 13, it balances speed and latency for compute-intensive workloads.
Рекомендуется
Networking Equipment
In routers and switches, the MT41K256M16TW-107:P offers high-speed packet buffering with 1866 MT/s data rate and low latency. Its auto self-refresh and write leveling features ensure reliable operation in high-traffic environments. The 1.35V supply reduces power consumption in always-on network devices. The 96-FBGA package is suitable for space-constrained line cards, and the 16-bit interface simplifies connection to network processors.
Рекомендуется
Industrial Automation
The MT41K256M16TW-107:P operates from 0°C to +95°C, making it suitable for industrial control systems. Its robust design includes dynamic ODT and ZQ calibration for signal integrity in noisy environments. The 4Gbit density supports large data logging and real-time processing. The 1.35V operation reduces heat generation in sealed enclosures, and the 96-FBGA package withstands vibration in factory settings.
Рекомендуется
Embedded Systems
For embedded applications, the MT41K256M16TW-107:P provides a balance of performance and power efficiency. Its 1.35V supply is ideal for battery-powered devices, and the 4Gbit capacity supports complex applications like image processing. The 96-FBGA package is compact, and the 16-bit bus reduces pin count, simplifying PCB design. Auto self-refresh extends battery life in standby modes.
Рекомендуется
Consumer Electronics
In consumer devices like smart TVs and set-top boxes, the MT41K256M16TW-107:P delivers high bandwidth for smooth video playback and multitasking. Its low voltage reduces heat, enabling slim designs. The 96-FBGA package is suitable for compact PCBs, and the 1866 MT/s data rate supports 4K video streams. Write leveling ensures reliable operation in high-speed interfaces.
Рекомендуется
Automotive Infotainment
The MT41K256M16TW-107:P is used in automotive infotainment systems where reliability and temperature range are critical. While not AEC-Q100 qualified, the industrial temperature variant (MT41K256M16TW-107IT:P) is available for -40°C to +95°C operation. The 4Gbit density supports navigation and multimedia, and the 1.35V supply reduces power in vehicle electrical systems. The 96-FBGA package withstands vibration.
Рекомендуется
Сводка рекомендуемых товаров
Справочные инженерные данные для MT41K256M16TW-107:P — сравнение, рекомендации по проектированию и информация о соответствии.
Руководство по выбору
Сравнение с аналогами
| Параметр | Этот товар | MT41K256M16TW-107IT:P | MT41K256M16TW-107AIT:P | K4B4G1646D-BYMA |
|---|---|---|---|---|
| Package | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) |
| Brand | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Memory Size | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit |
| Data Rate | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s |
| Supply Voltage | 1.35V | 1.35V | 1.35V | 1.35V |
| Operating Temperature | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| CAS Latency | 13 | 13 | 13 | 13 |
| AEC-Q100 | No | No | Yes | No |
Ключевые отличия
- Более высокая скорость передачи данных (1866 MT/s) по сравнению с MT41K256M16HA-125XIT:E (1600 MT/s) (против MT41K256M16HA-125XIT:E)
- Более низкое напряжение (1,35 В) по сравнению со стандартной DDR3 (1,5 В) (против Стандартные компоненты DDR3)
- Доступен промышленный температурный класс (MT41K256M16TW-107IT:P) (против K4B4G1646D-BYMA)
Заметки по проектированию
MT41K256M16TW-107:P требует стабильного питания 1,35 В. Используйте керамические конденсаторы с низким ESR (0,1 мкФ и 1 мкФ), размещённые близко к каждому выводу VDD и VDDQ, чтобы минимизировать пульсации напряжения. Убедитесь, что плоскость питания имеет низкий импеданс в интересующем диапазоне частот.
Следуйте рекомендациям по компоновке в техническом описании Micron для трассировки DDR3L. Согласуйте длины трасс для сигналов DQ, DQS и адреса/управления для поддержания целостности сигналов. Используйте трассы с контролируемым импедансом (обычно 40-60 Ом) и обеспечьте надлежащее согласование для линий адреса/управления.
Устройство работает до +95°C, но обеспечьте достаточный воздушный поток или теплоотвод в системах с высокой мощностью. Питание 1,35 В снижает рассеиваемую мощность, но в плотных массивах памяти термопереходы под корпусом FBGA могут помочь отводить тепло.
Информация о соответствии
RoHS compliant per JLCPCB listing. Lead-free per Micron. Not AEC-Q100 qualified for standard part; automotive grade available as MT41K256M16TW-107AIT:P.
