MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16TW-107:P от Micron Technology и MT41K256M16 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ Активен
Micron Technology
MT41K256M16 MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $16,00 $2,42
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM (1.35V)
Размер памяти 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz —
Скорость передачи данных 1866 MT/s —
Напряжение питания 1.35V —
I/O Voltage 1.35V —
Задержка CAS 13 —
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 —
Корпус 96-FBGA (8x14mm) 96-ball FBGA
Рабочая температура 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix]
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Организация памяти — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35 V (1.5V-compatible mode supported)
Banks — 8
Speed Grade Options — -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options]
Интерфейс — Parallel, source-synchronous DDR
On-Die Termination — Yes (ODT)
Refresh — 8K refresh cycles / 64 ms
CAS Latency Options — [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix]
Die Revision — Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs
ECCN — EAR99
Lead Free — Yes (per DigiKey product listing)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену