NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DIH Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CB256M16CP-DI от Nanya Technology и NT5CB256M16CP-DIH от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Активен
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DIH NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DIH
Бренд Nanya Technology Nanya Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $6,50
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
Напряжение питания 1.35 V (DDR3L) —
Скорость передачи данных 1600 Mbps/pin (max) 1600Mbps (DDR3L-1600)
Корпус TFBGA-96 96-ball TFBGA
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 5, 6, 7, 8, 9
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (±0.075V)
Internal Banks — 8 (BA0-BA2)
WRITE Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Интерфейс — SSTL_15
Рабочая температура — -40°C to +95°C (industrial)
REACH — Compliant
Process Technology — 70nm

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену