NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DIH 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CB256M16CP-DI 제조: Nanya Technology 및 NT5CB256M16CP-DIH 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 활성
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DIH NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DIH
브랜드 Nanya Technology Nanya Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $6.50
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
공급 전압 1.35 V (DDR3L) —
데이터 속도 1600 Mbps/pin (max) 1600Mbps (DDR3L-1600)
패키지 TFBGA-96 96-ball TFBGA
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 5, 6, 7, 8, 9
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (±0.075V)
Internal Banks — 8 (BA0-BA2)
WRITE Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
인터페이스 — SSTL_15
동작 온도 — -40°C to +95°C (industrial)
REACH — Compliant
Process Technology — 70nm

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청