NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DIH Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5CB256M16CP-DI por Nanya Technology e NT5CB256M16CP-DIH por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Ativo
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DIH NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DIH
Marca Nanya Technology Nanya Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $6,50
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
Tensão de alimentação 1.35 V (DDR3L) —
Taxa de dados 1600 Mbps/pin (max) 1600Mbps (DDR3L-1600)
Encapsulamento TFBGA-96 96-ball TFBGA
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 5, 6, 7, 8, 9
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Faixa de temperatura de operação -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (±0.075V)
Internal Banks — 8 (BA0-BA2)
WRITE Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Interface — SSTL_15
Temperatura de operação — -40°C to +95°C (industrial)
REACH — Compliant
Process Technology — 70nm

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação