NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DIH 对比

详细并排对比 NT5CB256M16CP-DI 出自 Nanya Technology 和 NT5CB256M16CP-DIH 出自 Nanya Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 量产中
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NT5CB256M16CP-DIH NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DIH
品牌 Nanya Technology Nanya Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $6.50
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储组织 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
电源电压 1.35 V (DDR3L) —
数据速率 1600 Mbps/pin (max) 1600Mbps (DDR3L-1600)
封装 TFBGA-96 96-ball TFBGA
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 5, 6, 7, 8, 9
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作温度范围 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (±0.075V)
Internal Banks — 8 (BA0-BA2)
WRITE Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
接口 — SSTL_15
工作温度 — -40°C to +95°C (industrial)
REACH — Compliant
Process Technology — 70nm

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