NT5CB256M16CP-DII vs NT5CC256M16CP-DIB1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CB256M16CP-DII от Nanya Technology и NT5CC256M16CP-DIB1 от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ Активен
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CB256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DIB1
Бренд Nanya Technology Nanya Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,57 $6,00
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
I/O Voltage (VDDQ) 1.35V (1.283V to 1.45V) —
Скорость передачи данных DDR3L-1600 (PC3L-12800) 1600Mbps (DDR3L-1600)
Задержка CAS CL11 —
tCK (min) 1.25 ns —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8 (BL8) and 4 (BC4)
Интерфейс SSTL-15 —
Корпус 96-ball FBGA (9mm x 13mm) TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch
Диапазон рабочих температур -40C to +95C (industrial) —
Refresh Interval 7.8us at 85C, 3.9us at 95C —
RoHS Compliant Compliant
Напряжение питания — 1.35V
CAS Latency (CL) — 11
Write Latency (CWL) — 8
tRCD/tRP — 11
Рабочая температура — 0C to +95C (Tcase)
Без галогенов — Yes
Lead Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену