NT5CB256M16CP-DII vs NT5CC256M16CP-DIB1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CB256M16CP-DII par Nanya Technology et NT5CC256M16CP-DIB1 par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CB256M16CP-DII | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,57 | $6,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Débit de données | DDR3L-1600 (PC3L-12800) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Latence CAS | CL11 | — |
| tCK (min) | 1.25 ns | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| Interface | SSTL-15 | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| Plage de température de fonctionnement | -40C to +95C (industrial) | — |
| Refresh Interval | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Tension d'alimentation | — | 1.35V |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C (Tcase) |
| Sans halogène | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |