NT5CB256M16CP-DII vs NT5CC256M16CP-DIB1 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CB256M16CP-DII 제조: Nanya Technology 및 NT5CC256M16CP-DIB1 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CB256M16CP-DII | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.57 | $6.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| 데이터 속도 | DDR3L-1600 (PC3L-12800) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| CAS 레이턴시 | CL11 | — |
| tCK (min) | 1.25 ns | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| 인터페이스 | SSTL-15 | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| 동작 온도 범위 | -40C to +95C (industrial) | — |
| Refresh Interval | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 공급 전압 | — | 1.35V |
| CAS Latency (CL) | — | 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| 동작 온도 | — | 0C to +95C (Tcase) |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |