NT5CC256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16CP-DI от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5CC256M16CP-DI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,90 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Напряжение питания | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | DDR3-1600 (CL11) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Корпус | VFBGA-96 | FBGA-96 |
| Рабочая температура | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] | 0°C to +95°C |
| Интерфейс | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes (programmable) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 70nm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Скорость передачи данных | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Количество выводов | — | 96 |