NT5CC256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA 比較
詳細な並列比較: NT5CC256M16CP-DI メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5CC256M16CP-DI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.90 | $14.32 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| 電源電圧 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | DDR3-1600 (CL11) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| パッケージ | VFBGA-96 | FBGA-96 |
| 動作温度 | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] | 0°C to +95°C |
| インターフェース | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes (programmable) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 70nm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| データレート | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| ピン数 | — | 96 |