NT5CC256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CP-DI von Nanya Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16CP-DI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,90 | $14,32 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | DDR3-1600 (CL11) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Gehäuse | VFBGA-96 | FBGA-96 |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] | 0°C to +95°C |
| Schnittstelle | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes (programmable) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 70nm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Datenrate | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Montageart | — | Surface Mount |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Anzahl der Pins | — | 96 |