YZ48G08V-F9HPI-M vs MT40A1G8SA-062E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок YZ48G08V-F9HPI-M от Loongtion и MT40A1G8SA-062E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Активен
Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр YZ48G08V-F9HPI-M MT40A1G8SA-062E
Бренд Loongtion Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $7,20 $6,05
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Скорость передачи данных 3200 MT/s 3200 MT/s (DDR4-3200)
Напряжение питания 1.2 V —
Диапазон рабочих температур -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Интерфейс Parallel —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
Статус RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (CAS Latency) — CL22 at 3200 MT/s
Row Access Time — 19 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Internal Banks — 16 banks (4 bank groups x 4 banks)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C)
Рабочая температура — 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C)
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
Корпус — 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm)
Особенности — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену