YZ48G08V-F9HPI-M vs MT40A1G8SA-062E 비교

다음의 상세 나란히 비교: YZ48G08V-F9HPI-M 제조: Loongtion 및 MT40A1G8SA-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ 활성
Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 YZ48G08V-F9HPI-M MT40A1G8SA-062E
브랜드 Loongtion Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.20 $6.05
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
메모리 구성 1G x 8 1G x 8
데이터 속도 3200 MT/s 3200 MT/s (DDR4-3200)
공급 전압 1.2 V —
동작 온도 범위 -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 Parallel —
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS 상태 Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (CAS Latency) — CL22 at 3200 MT/s
Row Access Time — 19 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Internal Banks — 16 banks (4 bank groups x 4 banks)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C)
동작 온도 — 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C)
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
패키지 — 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm)
특징 — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ

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