YZ48G08V-F9HPI-M vs MT40A1G8SA-062E 对比

详细并排对比 YZ48G08V-F9HPI-M 出自 Loongtion 和 MT40A1G8SA-062E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ 量产中
Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ 量产中

规格对比

参数 YZ48G08V-F9HPI-M MT40A1G8SA-062E
品牌 Loongtion Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.20 $6.05
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
存储组织 1G x 8 1G x 8
数据速率 3200 MT/s 3200 MT/s (DDR4-3200)
电源电压 1.2 V —
工作温度范围 -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
接口 Parallel —
CAS 延迟 [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS 状态 Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (CAS Latency) — CL22 at 3200 MT/s
Row Access Time — 19 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
Internal Banks — 16 banks (4 bank groups x 4 banks)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C)
工作温度 — 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C)
I/O Type — 1.2 V pseudo open-drain
Burst Length — BL8, BC4 (burst chop)
封装 — 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm)
特性 — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ

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