K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BCTD Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WB-BITD sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WB-BCTD sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WB-BITD | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $8.53 |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Rate ng Data | 2666 Mbps | 2666 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packhaging | 78FBGA | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Bilang ng Pins | 78 | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Cycle Time (tRC) | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | [DATA_NEEDED: tRFC] | — |
| Interface | Parallel | — |
| Tindminan RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | — | B-die |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| Mga Karakteristika | — | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |