K4A8G085WB-BITD vs K4A8G085WB-BCTD So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G085WB-BITD bằng Samsung Electronics và K4A8G085WB-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BITD ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G085WB-BITD K4A8G085WB-BCTD
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $8,53
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Tổ chức 1G x 8 1G x 8
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps 2666 Mbps
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V
Nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Hộp 78FBGA FBGA-78 (78-ball TFBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 78 —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
Giao diện Parallel —
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Die Revision — B-die
Bank Structure — 16 banks, 4 bank groups
Burst Length — BL8
Termination — On-Die Termination (ODT), dynamic ODT
Tính năng — ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset
Speed Bin — -BCTD (CL-tRCD-tRP bin)
Terminations — 78
JEDEC-30 Package Code — R-PBGA-B78

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá