K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BCMA0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646E-BMMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646D-BCMA0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Tapus ng BuhayPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Tapus ng Buhay |
| Presyo ng Yunit (USD) | $16.08 | — |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Rate ng Data | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.5 V |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| Packhaging | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Laki ng Memory | — | 4 Gb |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| Katayuan ng Lifecycle | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |