K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BCMA0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BMMA بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BCMA0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نهاية العمر الإنتاجي |
| سعر الوحدة (USD) | $16.08 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.5 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| العلبة | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-FBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| حالة دورة الحياة | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |