NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DIH Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16CP-DIB1 sa pamamagitan ng Nanya Technology at NT5CB256M16CP-DIH sa pamamagitan ng Nanya Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya
NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16CP-DIB1 | NT5CB256M16CP-DIH |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | — |
| Rate ng Data | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Packhaging | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 11 | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | — |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C (Tcase) | -40°C to +95°C (industrial) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (±0.075V) |
| Internal Banks | — | 8 (BA0-BA2) |
| WRITE Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Interface | — | SSTL_15 |
| REACH | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Process Technology | — | 70nm |