W634GU6RB11I vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB11I sa pamamagitan ng Winbond at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB11I | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13) | FBGA-96 |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C (Industrial) | 0°C to +95°C |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latensya ng CAS | 11 (at 933 MHz) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | Auto and Self Refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Rate ng Data | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Bilang ng Pins | — | 96 |