1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3142MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3124MC12HXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) Inverting, Non-Inverting
Number of Drivers 1 —
Çıkış Sayısı 1 2 (separate source/sink)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Artış Süresi 15 ns —
Düşüş Süresi 30 ns —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin