1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3124MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3124MC12HXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) Inverting, Non-Inverting
Number of Drivers 1 —
מספר יציאות 1 2 (separate source/sink)
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
זמן עלייה 15 ns —
זמן ירידה 30 ns —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
סטטוס RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר